浙江开民电器有限公司

公司动态

变频器行业核心电子器件争夺战打响

  2011年,国内市场中低压变频器供不应求,第一次出现比高压变频器增速快的现象,高压变频器则竞争进一步加剧。“通常,中低压变频器的市场规模增长在10%-15%的水平,但2011年的增速首次超过了高压变频器,达到了30%的加速发展”,业内人士称。

    从总体上看,我国变频调速技术起步较晚,比欧美、日本等发到国家晚了10至15年。不过,有专家认为,由于目前中高端变频器市场应用主要被欧美、日本品牌占据,从长期发展趋势来讲,有近80%的进口替代空间,中低压将是变频器未来争夺的主战场。

    近年来,随着变频器行业的发展,变频器的核心电子器件也从最初的SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管),经过BJT(双极型功率晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管),发展到今天的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管),器件的更新促使变频器的应用领域更为广泛,市场规模随之迅速扩大。

    IGBT属微电子产品,目前国内在该领域技术相对落后,国内变频器企业普遍采用德国和日本的进口产品。中、低压变频器生产所需的IGBT,也只有少数国内企业可以供应。

    “未来,变频器市场的争夺比拼的就是IGBT等核心器件的研制能力。这是国内努力在IGBT上需求突破的原因。”

联系我们

CONTACT US

电话:0577-68658007

传 真:0577-64205932

手 机:15167880961

邮 箱:1981947715@qq.com

地 址:浙江省温州市龙港市海景路599号